Applied Materials 0021-53986 是 半导体离子注入设备 的 高精度束流控制模块,专门用于 先进制程节点(5nm以下)的 掺杂工艺控制。该组件通过电磁场精准调控离子束角度(±0.1°)和束流密度(稳定性±0.5%),实现超浅结(USJ)形成和阈值电压调控,应用于FinFET和GAA晶体管制造。
类别 | 技术参数 |
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束流控制 | - 能量范围:0.2-80keV <br> - 束流精度:±0.5% <br> - 角度控制:±0.1° |
真空兼容性 | - 极限真空:5×10⁻⁸ Torr <br> - 漏率:<5×10⁻¹⁰ mbar·L/s <br> - 材料:316L EP不锈钢 |
电气特性 | - 高压隔离:100kV DC <br> - 信号接口:光纤隔离D-sub <br> - 响应时间:<10μs |
冷却系统 | 双通道液冷设计 <br> - 流量:4L/min <br> - 温控精度:±0.5℃ |
认证标准 | SEMI S2/S8 (安全/ESD) <br> ISO 14644 Class 2 (洁净度) <br> IEC 61010-1 (电气安全) |
系列 | 型号 | 差异点 | 状态 |
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离子束控制模块系列 | 0021-53986 | 标准型(80keV) | 在产 |
升级型号 | 0021-75822 | 120keV/AI束流优化 | 新型号 |
兼容型号 | 0021-53985 | 低能量专用版(≤30keV) | 停产 |
第三方方案 | Axcelis ATX-3000 | 需AMAT接口适配器 | 风险高 |
graph LRA[AMAT 0021-53986] --> B[纳米级精度]A --> C[超低污染]A --> D[智能诊断]B --> B1[±0.1°角度控制]C --> C1[无磁性材料]D --> D1[预测性维护]
行业 | 设备平台 | 工艺用途 |
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逻辑芯片 | VIISta 900XP | FinFET源漏极延伸区注入 |
3D NAND | VIISta PLAD | 多晶硅沟道掺杂 |
CIS传感器 | Applied PIII | 背面深阱注入(BTI) |
功率器件 | VIISta HC3 | SiC JFET沟道区掺杂 |
警报代码 | 原因 | 解决措施 |
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ALARM 302 | 束流偏移超标 | 校准静电透镜电压参数 |
WARNING 415 | 真空维持异常 | 检查分子泵/更换密封圈 |
ALARM 688 | 冷却液电导率超标 | 更换去离子水/清洗管路 |
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