Applied Materials 0190-26873 是 物理气相沉积(PVD)设备 的 高功率旋转阴极组件,专为 300mm晶圆金属化工艺 设计。该核心部件通过磁控溅射技术在芯片表面沉积纳米级金属薄膜(如铜/钽/钴),满足5nm以下先进制程的互连电阻要求(<2μΩ·cm),应用于高端逻辑芯片和DRAM制造。
类别 | 技术参数 |
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电气特性 | - 功率容量:25kW DC / 10kW RF <br> - 靶材电压:300-700V <br> - 电弧抑制响应:<2μs |
机械性能 | - 转速:0-100 RPM±0.1% <br> - 径向跳动:≤5μm <br> - 冷却方式:双回路液冷(ΔT<3℃) |
真空兼容性 | - 极限真空:5×10⁻⁸ Torr <br> - 漏率:<1×10⁻⁹ mbar·L/s <br> - 材料:316LN不锈钢+陶瓷绝缘 |
接口标准 | - 电源接口:KF-40真空馈通 <br> - 信号接口:D-Sub 37针 <br> - 冷却接口:Swagelok 1/4" VCR |
认证标准 | SEMI S2/S8 (安全/ESD) <br> ISO 14644 Class 3 (洁净度) <br> ASTM E595 (低释气) |
系列 | 型号 | 差异点 | 状态 |
---|---|---|---|
PVD旋转阴极系列 | 0190-26873 | 标准型(25kW) | 在产 |
增强型号 | 0190-37189 | 40kW功率/智能热管理 | 新型号 |
兼容替代方案 | 0190-26874 | 钽靶材专用版本 | 停产 |
第三方方案 | HEF USA RCS-300 | 需AMAT性能认证 | 风险高 |
graph LRA[AMAT 0190-26873] --> B[超高沉积速率]A --> C[零污染设计]A --> D[智能监控]B --> B1[≥1μm/min@Cu]C --> C1[磁流体密封]D --> D1[实时靶材消耗监测]
行业 | 设备平台 | 工艺用途 |
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逻辑芯片 | Endura® Cirrus™ PVD | 铜互连阻挡层(TaN/TiN) |
DRAM制造 | Centura® Silvia™ | 电容电极层(TiN)沉积 |
3D NAND | Endura® Volta™ | 存储单元接触孔(W填充) |
先进封装 | Applied Producer® Sirus | RDL再布线层(Cu溅射) |
警报代码 | 原因 | 解决措施 |
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ALARM 558 | 旋转不平衡 | 清洁轴承或更换磁流体密封 |
WARNING 721 | 冷却效率下降 | 检查水冷回路/过滤网堵塞 |
ALARM 419 | 真空泄漏 | 使用He检漏仪检测KF接口 |
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