Applied Materials 0190-30354 是 等离子体工艺设备 的 全自动射频阻抗匹配网络,专为 高功率刻蚀与CVD制程(≤13.56MHz)设计。该组件通过 双L型拓扑电路 与 实时史密斯圆图分析,实现 反射功率<0.5% 及 阻抗匹配速度<50ms,满足3nm节点 FinFET/GAA刻蚀 的等离子体稳定性要求(波动<2%)。
类别 | 技术参数 |
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电气性能 | - 频率范围:1-13.56MHz ±0.1% <br> - 功率容量:0-5kW(连续) <br> - VSWR:≤1.01:1 |
匹配精度 | - 阻抗范围:5-2000Ω(50Ω系统) <br> - 分辨率:±0.1Ω <br> - 匹配时间:<50ms(90%负载变动) |
传感系统 | - 电压检测:0-3000V(精度±0.5%) <br> - 相位检测:0-360°(分辨率0.1°) <br> - 温度监测:±1℃@150℃ |
机械结构 | - 真空等级:10⁻⁸ Torr <br> - 冷却方式:水冷(流量≥8L/min) <br> - 接口标准:ISO-KF 40 |
认证标准 | SEMI F47-0708(电压暂降)<br>IEC 62626-1:2023(绝缘)<br>CE EMC Directive 2014/30/EU |
系列 | 型号 | 技术演进 | 适用设备平台 |
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RF Match 系列 | 0190-30354 | 标准工业版(5kW) | Producer® GT / Centura® |
高频增强型 | 0190-88721 | 支持40MHz/匹配速度20ms | Endura® Verity™ |
经济替代型 | 0190-70233 | 3kW功率/机械式调节 | AKT PECVD 系统 |
第三方兼容 | Comet RFM-5K-13M | 需AMAT协议仿真模块 | 阻抗精度风险 |
graph LRA[0190-30354] --> B[零反射传输]A --> C[纳秒级响应]A --> D[智能调谐]B --> B1[功率损耗<10W]C --> C1[FPGA实时运算]D --> D1[自适应算法]
行业 | 设备平台 | 工艺类型 | 关键指标 |
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逻辑芯片 | Producer® GT PECVD | 低k介质沉积 | 厚度均匀性±1.5% |
3D NAND | Centura® MESA Etch | 高深宽比刻蚀(60:1) | 关键尺寸偏差<0.5nm |
功率器件 | AKT-1600 PECVD | SiN钝化层沉积 | 应力控制±50MPa |
MEMS制造 | Applied Certus™ | 硅深反应离子刻蚀 | 侧壁垂直度89°±0.5° |
警报代码 | 故障现象 | 根因分析 | 解决措施 |
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ERR 415 | 匹配超时 | 电容电机卡滞 | 更换步进电机(P/N:0190-81209) |
ALM 309 | 反射功率超标 | RF馈线破损/等离子体异常 | 检查同轴连接器/Tune工艺参数 |
WARN 778 | 真空泄漏 | 陶瓷馈通裂纹 | 氦质谱检漏/更换密封组件 |
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